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  惠普实验室研发的这种新组件被叫做“忆阻器”(memory resistor,这种电路元件已经被加入了电子电路理论,而其它三个:电容器,电阻器和电感器,大家都是很熟悉的)。这种元件的理论来源是加州大学伯克莱分校非线性电路工程学研究生Leon Chua在1970年代写的一组数学方程式所描述的原型,但这名天才以及其他的工程团体都没有能够制造出符合这种数学表达的电子实物。
  而现在,37年后,惠普实验室的研究者在斯丹利·威廉姆斯领导下终于成功实现了理论向现实的转换。根据他们的描述,忆阻器器件的最有趣特征是它可以记忆流经它的电荷数量,而且将为即开型PC、更高能效的计算机和以人类大脑类似方式处理和联系信息的模拟式计算机铺平道路。
  据称,应用这种新型的电子元件,工程师们可以构造新型的非易失性随机存取存储器(RAM):能量状态不会因为断点而消失的存储芯片。如此,当重新打开笔记本电源时,可以直接进入先前的工作状态。
  另外,威廉姆斯还表示,技术上的障碍已经突破,而商业上的限制恐怕还很难度过。
  编辑观点:作为连接硬盘与处理器的桥梁,现在的内存很大的一个问题就是其在非通电状态下的非记忆性,基于这个缺点,微软也提供了休眠来支持断电后恢复先前工作状态的技术,不过还是得等数据慢慢从硬盘读进内存以及相关进程加载的时间。现在更好了,连这个时间都可以省了,这对于笔记本来说无疑是十分便利的,想要移动位置而又不想让硬盘受损以及等待加载时间,这种技术再方便不过了。不过正如威廉姆斯表示的那样,从技术成熟到商业普及,苦难恐怕还是很多的,我们等待的时间也会不少的。

评论 2

T43的忠实追求者  金牌会员  发表于 2008-11-1 14:52 | 显示全部楼层
不错不错学习
死老妖  V3+  发表于 2008-11-2 21:01 | 显示全部楼层
不错,新手学习,谢谢!!
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